【軍武次位面】作者：——全域機動★無人智勝——
今天凌晨，路透社發布了一條足以震動全球半導體行業的獨家消息：在深圳一處實驗室里，中國科研團隊已經成功制造出一臺極紫外光刻機（EUV）原型機。這臺設備在2025年初完成組裝，目前已經投入運行并成功產生了極紫外光，雖然尚未生產出可用芯片，但這個突破本身已經足夠驚人。
▲路透社認為這事堪比美國研發原子彈的曼哈頓計劃
消息一出，立刻在國際半導體圈引發軒然大波。要知道，就在幾個月前，ASML首席執行官富凱還信誓旦旦地說，中國要發展出EUV技術“需要很多很多年”，現在這張臉打得可夠響的。
EUV光刻機到底有多難造？它被稱為“人類制造的最精密設備”，全球只有荷蘭的ASML一家公司能夠生產。這臺售價高達1.5億美元的龐然大物，涉及超過10萬個零部件，來自全球5000多家供應商。
▲ASML的EUV光刻機
它的核心原理是利用波長僅13.5納米的極紫外光，通過復雜的光學系統將芯片電路圖投射到硅片上。聽起來簡單，但實際操作難度堪比登月。光是EUV光源就是個巨大挑戰——需要用高功率激光轟擊液態錫滴，使其電離成等離子體并發出極紫外光，整個過程要在真空環境下進行，每秒鐘要精準擊中5萬個直徑僅30微米的錫滴，容錯率幾乎為零。
更難搞的是光學系統。因為幾乎所有材料都會吸收極紫外光，傳統的透鏡玻璃完全不能用，只能使用多層膜反射鏡。ASML的EUV光刻機里有十幾面這樣的反射鏡，每面鏡子都鍍了40到100層納米級薄膜，表面平整度要求達到原子級別。ASML光刻機使用的都是德國蔡司公司提供的頂級鏡片，每一片的加工都需要幾個月，而消息人士透露，長春光學機械研究所已經生產出來了蔡司的“平替”。
▲打臉來的有點快
就在前不久，ASML的新任CEO富凱在接受采訪時還表示，中國發展出EUV技術“需要很多很多年”。他透露，ASML目前向中國出口的DUV光刻機，技術水平已經比最新的高數值孔徑EUV整整落后了八代，相當于2013到2014年的水平，技術差距超過10年。
言下之意很明確：中國別想在短期內追上來。更早之前，他在另一次采訪中直言，由于美國禁止向中國出口EUV設備，中國芯片制造技術將落后西方10到15年。這種論調在歐美半導體圈相當有市場，不少分析師也跟著唱和，認為中國在EUV領域短期內不可能有什么突破。
▲相關技術國內很早就投入研發了
結果才過了幾個月，路透社就曝出中國已經造出EUV原型機的消息。雖然消息人士強調這臺機器“尚未生產出可用芯片”，但能夠成功產生極紫外光本身就意味著最核心的技術難關已經被攻克。
從技術角度看，EUV光刻機的研發可以分為幾個階段：首先是光源和光學系統的驗證，能穩定產生極紫外光并實現精確投影；其次是整機集成和調試，讓各個子系統協同工作；最后是工藝優化和量產能力提升。中國的原型機目前處于第一階段末期或第二階段初期，距離量產確實還有距離，但技術路線已經跑通了。
按照路透社援引消息人士的說法，中國的目標是在2028年前使用這臺原型機生產出可用芯片，但更現實的時間點可能是2030年實現量產。這個時間表看起來還挺長，但考慮到ASML從第一臺EUV原型機到實現量產也用了十幾年，中國如果能在五年左右完成這個過程，速度已經相當快了。
在芯片領域被卡脖子之后，中國把半導體設備列為重點攻關方向，投入了大量資源。從上海微電子的28納米DUV光刻機到清華大學提出的SSMB-EUV新型光源方案，再到現在EUV原型機的出現，中國在光刻機領域的進步速度遠超外界預期。
這次路透社的報道，最尷尬的恐怕就是那些之前斷言中國“不可能”造出EUV光刻機的歐美專家了。他們的判斷基于一個基本假設：EUV技術太復雜，中國缺乏相關積累，短期內不可能突破。但他們顯然低估了中國的決心和能力。而這種打臉大家已經見到很多次了，未來也不會少。
